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聚焦離子束技術（FIB）原理：
聚焦離子束(FIB)系統利用鎵離子源和雙透鏡聚焦柱，用強烈的聚焦離子束轟擊標本表面，以進行精密材料去除、沉積和高分辨率成像。簡單來說是聚合了FIB處理樣品和SEM觀察成相的功能。其中FIB是將Ga元素離子化成Ga+，然后利用電場加速，再利用靜電透鏡聚焦將高能量的Ga+打到指定點從而達到處理樣品的功能。
1）在IC生產工藝中，發現微區電路蝕刻有錯誤，可利用FIB的切割，斷開原來的電路，再使用定區域噴金，搭接到其他電路上，實現電路修改，最高精度可達5nm。
（2）產品表面存在微納米級缺陷，如異物、腐蝕、氧化等問題，需觀察缺陷與基材的界面情況，利用FIB就可以準確定位切割，制備缺陷位置截面樣品，再利用SEM觀察界面情況。
（3）微米級尺寸的樣品，經過表面處理形成薄膜，需要觀察薄膜的結構、與基材的結合程度，可利用FIB切割制樣，再使用SEM觀察
FIB-SEM切片測試過程
服務領域：光電材料，半導體材料，鍍膜材料， 金屬材料，礦石，納米材料，高分子材料，鋰電材料，數據存儲，生物材料，通訊行業等。
聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統 FIB-SEM應用
聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統主要用于表面二次電子形貌觀察、能譜面掃描、樣品截面觀察、微小樣品標記以及TEM超薄片樣品的制備。
1.FIB切片截面分析 FIB-SEM測試
FIB技術可以精確地在器件的特定微區進行截面觀測，形成高分辨的清晰圖像，并且對所加工的材料沒有限制，同時可以邊刻蝕邊利用SEM實時觀察樣品，截面分析是FIB最常見的應用。這種刻蝕斷面定位精度極高，在整個制樣過程中樣品所受應力很小，制作的斷面因此也具有很好的完整性。這種應用在微電子領域具體運用場合主要有：定點觀測芯片的內部結構；失效樣品分析燒毀的具體位置并定位至外延層；分析光發射定位熱點的截面結構缺陷。
FIB制備TEM樣品過程：
用電子束或離子束輔助沉積的方法在待制備TEM試樣的表面蒸鍍Pt保護覆層，以避免最終的TEM試樣受到Ga離子束導致的輻照損傷；
2. Bulk-out：在帶制備的TEM試樣兩側用較大的例子束流快速挖取“V”型凹坑；
3. U-cut：在步驟（2）中切取出的TEM薄片上切除薄片的兩端和底部；
4. Lift-out：用顯微操控針將TEM試樣從塊狀基體移出，試樣與針之間用蒸鍍Pt方式粘結；
5. Mount on Cu half-grid：用顯微操控針將移出的TEM薄片轉移并粘接在預先準備好的TEM支架上；
6. Final milling：用較小利息束流對TEM薄片進一步減薄，直至厚度約約100 nm。
| FIB配合TEM進行復雜操作 | |
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